Справочник MOSFET. TK20C60W

 

TK20C60W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK20C60W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для TK20C60W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20C60W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  toshiba
 tk20c60w.pdf pdf_icon

TK20C60W

TK20C60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20C60WTK20C60WTK20C60WTK20C60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

Другие MOSFET... TK17C65W , TK17E65W , TK17N65W , TK17V65W , TK18E10K3 , TK200F04N1L , TK20A60W , TK20A60W5 , IRLB4132 , TK20E60W , TK20E60W5 , TK20G60W , TK20J60W , TK20J60W5 , TK20N60W , TK20N60W5 , TK20V60W .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.