TK20G60W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK20G60W  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.7 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 48 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK20G60W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK20G60W даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tk20g60w.pdf pdf_icon

TK20G60W

TK20G60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20G60W TK20G60W TK20G60W TK20G60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

Другие IGBT... TK17V65W, TK18E10K3, TK200F04N1L, TK20A60W, TK20A60W5, TK20C60W, TK20E60W, TK20E60W5, STP80NF70, TK20J60W, TK20J60W5, TK20N60W, TK20N60W5, TK20V60W, TK20V60W5, TK22A10N1, TK22E10N1