Справочник MOSFET. TK25V60X

 

TK25V60X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK25V60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8

 Аналог (замена) для TK25V60X

 

 

TK25V60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk25v60x.pdf

TK25V60X TK25V60X

TK25V60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25V60XTK25V60XTK25V60XTK25V60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties with

 0.1. Size:365K  toshiba
 tk25v60x5.pdf

TK25V60X TK25V60X

TK25V60X5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK25V60X5TK25V60X5TK25V60X5TK25V60X51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.125 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top