TK25V60X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK25V60X  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK25V60X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK25V60X даташит

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk25v60x.pdf pdf_icon

TK25V60X

TK25V60X MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS -H) TK25V60X TK25V60X TK25V60X TK25V60X 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) High-speed switching properties with

 0.1. Size:365K  toshiba
 tk25v60x5.pdf pdf_icon

TK25V60X

TK25V60X5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK25V60X5 TK25V60X5 TK25V60X5 TK25V60X5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 120 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.125 (typ.) (3) Easy to control Gate switc

Другие IGBT... TK22E10N1, TK25A60X, TK25A60X5, TK25E60X, TK25E60X5, TK25N60X, TK25N60X5, TK25S06N1L, IRF520, TK25V60X5, TK28A65W, TK28E65W, TK28N65W, TK28N65W5, TK28V65W, TK2P90E, TK30A06N1