Справочник MOSFET. TK25V60X

 

TK25V60X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK25V60X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для TK25V60X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK25V60X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk25v60x.pdf pdf_icon

TK25V60X

TK25V60XMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H)TK25V60XTK25V60XTK25V60XTK25V60X1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.11 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) High-speed switching properties with

 0.1. Size:365K  toshiba
 tk25v60x5.pdf pdf_icon

TK25V60X

TK25V60X5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK25V60X5TK25V60X5TK25V60X5TK25V60X51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 120 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.125 (typ.)(3) Easy to control Gate switc

Другие MOSFET... TK22E10N1 , TK25A60X , TK25A60X5 , TK25E60X , TK25E60X5 , TK25N60X , TK25N60X5 , TK25S06N1L , CS150N03A8 , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 .

History: STF13N60M2 | IXTQ44P15T | HGN028NE6AL | SI7491DP | CS7456 | SIHFD014

 

 
Back to Top

 


 
.