TK28V65W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK28V65W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK28V65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для TK28V65W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK28V65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:297K  toshiba
 tk28v65w.pdf pdf_icon

TK28V65W

TK28V65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK28V65WTK28V65WTK28V65WTK28V65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.099 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enha

Другие MOSFET... TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , MMIS60R580P , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 .

History: IRF7779L2 | IRFY310C | RF4E070GN | VBA3316 | AP9620GM | STK22N6F3

 

 
Back to Top

 


 
.