TK28V65W - описание и поиск аналогов

 

TK28V65W. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK28V65W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 240 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для TK28V65W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK28V65W даташит

 ..1. Size:297K  toshiba
 tk28v65w.pdf pdf_icon

TK28V65W

TK28V65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK28V65W TK28V65W TK28V65W TK28V65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.099 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enha

Другие MOSFET... TK25N60X5 , TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , P60NF06 , TK2P90E , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 .

History: BSZ035N03LSG | BUK553-60B | BUK555-200B | WM06N30M | BLF7G22LS-160

 

 

 

 

↑ Back to Top
.