Справочник MOSFET. TK2P90E

 

TK2P90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK2P90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.9 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2P90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  toshiba
 tk2p90e.pdf pdf_icon

TK2P90E

TK2P90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK2P90ETK2P90ETK2P90ETK2P90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.7 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL7N80-P | MC11N005 | AUIRFR2607Z | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.