TK2P90E - описание и поиск аналогов

 

TK2P90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK2P90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.9 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK2P90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK2P90E даташит

 ..1. Size:326K  toshiba
 tk2p90e.pdf pdf_icon

TK2P90E

TK2P90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK2P90E TK2P90E TK2P90E TK2P90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.7 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

Другие MOSFET... TK25S06N1L , TK25V60X , TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , 75N75 , TK30A06N1 , TK30E06N1 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 , TK31N60W .

History: BSS816NW

 

 

 

 

↑ Back to Top
.