TK30E06N1 - описание и поиск аналогов

 

TK30E06N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK30E06N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK30E06N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK30E06N1 даташит

 ..1. Size:246K  toshiba
 tk30e06n1.pdf pdf_icon

TK30E06N1

TK30E06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK30E06N1 TK30E06N1 TK30E06N1 TK30E06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 12.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk30e06n1.pdf pdf_icon

TK30E06N1

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK30E06N1 ITK30E06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 15.0m . (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.2mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MA

Другие MOSFET... TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , IRFB31N20D , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.