Справочник MOSFET. TK30E06N1

 

TK30E06N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK30E06N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK30E06N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK30E06N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:246K  toshiba
 tk30e06n1.pdf pdf_icon

TK30E06N1

TK30E06N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK30E06N1TK30E06N1TK30E06N1TK30E06N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)(3) Enha

 ..2. Size:246K  inchange semiconductor
 tk30e06n1.pdf pdf_icon

TK30E06N1

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK30E06N1ITK30E06N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 15.0m. (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth =2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.2mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MA

Другие MOSFET... TK25V60X5 , TK28A65W , TK28E65W , TK28N65W , TK28N65W5 , TK28V65W , TK2P90E , TK30A06N1 , IRF730 , TK31A60W , TK31E60W , TK31E60X , TK31J60W , TK31J60W5 , TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X .

History: CS3N150VF | BUK7Y1R4-40H | SSW90R420S2 | 2SK3147S

 

 
Back to Top

 


 
.