Справочник MOSFET. TK31E60X

 

TK31E60X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TK31E60X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 65 nC

Время нарастания (tr): 22 ns

Выходная емкость (Cd): 70 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.088 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK31E60X

 

TK31E60X Datasheet (PDF)

1.1. tk31e60x.pdf Size:251K _toshiba2

TK31E60X
TK31E60X

TK31E60X MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS-H) TK31E60X TK31E60X TK31E60X TK31E60X 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) High-speed switching properties wit

3.1. tk31e60w.pdf Size:258K _toshiba2

TK31E60X
TK31E60X

TK31E60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK31E60W TK31E60W TK31E60W TK31E60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.073 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 

Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .

 

 
Back to Top