TK33S10N1Z - описание и поиск аналогов

 

TK33S10N1Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK33S10N1Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK33S10N1Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK33S10N1Z даташит

 ..1. Size:261K  toshiba
 tk33s10n1z.pdf pdf_icon

TK33S10N1Z

TK33S10N1Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK33S10N1Z TK33S10N1Z TK33S10N1Z TK33S10N1Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (3)

Другие MOSFET... TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , TK32E12N1 , MMIS60R580P , TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 .

History: MTE030N15RQ8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.