Справочник MOSFET. TK33S10N1Z

 

TK33S10N1Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK33S10N1Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK33S10N1Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK33S10N1Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  toshiba
 tk33s10n1z.pdf pdf_icon

TK33S10N1Z

TK33S10N1ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK33S10N1ZTK33S10N1ZTK33S10N1ZTK33S10N1Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(3)

Другие MOSFET... TK31N60W , TK31N60W5 , TK31N60X , TK31V60W , TK31V60W5 , TK31V60X , TK32A12N1 , TK32E12N1 , 2N7002 , TK34A10N1 , TK34E10N1 , TK35A08N1 , TK35A65W , TK35A65W5 , TK35E08N1 , TK35N65W , TK35N65W5 .

History: ZXMN3B01FTA

 

 
Back to Top

 


 
.