Справочник MOSFET. TK33S10N1Z

 

TK33S10N1Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK33S10N1Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1070 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TK33S10N1Z

 

 

TK33S10N1Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  toshiba
 tk33s10n1z.pdf

TK33S10N1Z TK33S10N1Z

TK33S10N1ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK33S10N1ZTK33S10N1ZTK33S10N1ZTK33S10N1Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) AEC-Q101 qualified(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(3)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top