TK3P80E - описание и поиск аналогов

 

TK3P80E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK3P80E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK3P80E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3P80E даташит

 ..1. Size:378K  toshiba
 tk3p80e.pdf pdf_icon

TK3P80E

TK3P80E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK3P80E TK3P80E TK3P80E TK3P80E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.9 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

Другие MOSFET... TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , IRFP460 , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.