Справочник MOSFET. TK3P80E

 

TK3P80E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK3P80E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK3P80E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3P80E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:378K  toshiba
 tk3p80e.pdf pdf_icon

TK3P80E

TK3P80EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK3P80ETK3P80ETK3P80ETK3P80E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.9 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 640 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

Другие MOSFET... TK35N65W , TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , IRF640 , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 .

 

 
Back to Top

 


 
.