TK40A06N1 - описание и поиск аналогов

 

TK40A06N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK40A06N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0104 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK40A06N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK40A06N1 даташит

 ..1. Size:233K  toshiba
tk40a06n1.pdfpdf_icon

TK40A06N1

TK40A06N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK40A06N1 TK40A06N1 TK40A06N1 TK40A06N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V) (3) Enhan

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
tk40a06n1.pdfpdf_icon

TK40A06N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK40A06N1 ITK40A06N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) =10.4m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.3mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

 8.1. Size:257K  toshiba
tk40a08k3.pdfpdf_icon

TK40A06N1

 9.1. Size:177K  toshiba
tk40a10j1.pdfpdf_icon

TK40A06N1

TK40A10J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK40A10J1 Switching Regulator Applications Unit mm Small gate charge Qg = 76nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 11.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 90 S Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 100 V) Enhancement m

Другие MOSFET... TK35N65W5 , TK39A60W , TK39J60W , TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , IRFZ44 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.