TK42A12N1 - описание и поиск аналогов

 

TK42A12N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK42A12N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: TO-220SIS

Аналог (замена) для TK42A12N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK42A12N1 даташит

 ..1. Size:233K  toshiba
 tk42a12n1.pdf pdf_icon

TK42A12N1

TK42A12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK42A12N1 TK42A12N1 TK42A12N1 TK42A12N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 7.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V) (3) Enha

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk42a12n1.pdf pdf_icon

TK42A12N1

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK42A12N1 ITK42A12N1 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 9.4m (VGS = 10 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... TK39J60W5 , TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , IRLZ44N , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA .

History: 2SK1579 | RF4E110BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.