TK42E12N1 - описание и поиск аналогов

 

TK42E12N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK42E12N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK42E12N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK42E12N1 даташит

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk42e12n1.pdf pdf_icon

TK42E12N1

TK42E12N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK42E12N1 TK42E12N1 TK42E12N1 TK42E12N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 7.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V) (3) Enha

Другие MOSFET... TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , IRFB4110 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.