Справочник MOSFET. TK42E12N1

 

TK42E12N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK42E12N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK42E12N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK42E12N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  toshiba
 tk42e12n1.pdf pdf_icon

TK42E12N1

TK42E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK42E12N1TK42E12N1TK42E12N1TK42E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha

Другие MOSFET... TK39N60W , TK39N60W5 , TK39N60X , TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , IRF640N , TK45S06K3L , TK46A08N1 , TK46E08N1 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 .

History: SI3410DV | AOSP62530 | HM35N03Q | PSMN018-100PSF | AP10N7R5H | MTM2N85 | AP9962AGP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.