Справочник MOSFET. TK46A08N1

 

TK46A08N1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK46A08N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 37 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SIS

 Аналог (замена) для TK46A08N1

 

 

TK46A08N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk46a08n1.pdf

TK46A08N1 TK46A08N1

TK46A08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK46A08N1TK46A08N1TK46A08N1TK46A08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3) Enhan

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk46a08n1.pdf

TK46A08N1 TK46A08N1

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK46A08N1ITK46A08N1FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 8.4m (VGS = 10 V)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.5mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXI

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top