Справочник MOSFET. TK46E08N1

 

TK46E08N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK46E08N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK46E08N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK46E08N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk46e08n1.pdf pdf_icon

TK46E08N1

TK46E08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK46E08N1TK46E08N1TK46E08N1TK46E08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3) Enhan

Другие MOSFET... TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , IRF3710 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 .

History: IRF2804PBF | PP4B10BF | SI1025X

 

 
Back to Top

 


 
.