Справочник MOSFET. TK46E08N1

 

TK46E08N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK46E08N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK46E08N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk46e08n1.pdf pdf_icon

TK46E08N1

TK46E08N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK46E08N1TK46E08N1TK46E08N1TK46E08N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.9 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V)(3) Enhan

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQPF9N50CYDTU | PMN70XPE | CS12N60A8R | NTP2955 | WM02P18F | LR024N | SMK0460D

 

 
Back to Top

 


 
.