TK46E08N1 - описание и поиск аналогов

 

TK46E08N1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK46E08N1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 103 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TK46E08N1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK46E08N1 даташит

 ..1. Size:249K  toshiba
 tk46e08n1.pdf pdf_icon

TK46E08N1

TK46E08N1 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS -H) TK46E08N1 TK46E08N1 TK46E08N1 TK46E08N1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.9 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 80 V) (3) Enhan

Другие MOSFET... TK3P80E , TK40A06N1 , TK40E06N1 , TK40S06N1L , TK42A12N1 , TK42E12N1 , TK45S06K3L , TK46A08N1 , AO3400 , TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.