TK56E12N1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK56E12N1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для TK56E12N1
TK56E12N1 Datasheet (PDF)
tk56e12n1.pdf

TK56E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK56E12N1TK56E12N1TK56E12N1TK56E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha
Другие MOSFET... TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , STP75NF75 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W .
History: 4402 | 24NM60G-TF3-T | 2SK1722 | SI2304DS | IRF7700G | KIA50N06B-220 | PJE8403
History: 4402 | 24NM60G-TF3-T | 2SK1722 | SI2304DS | IRF7700G | KIA50N06B-220 | PJE8403



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830