Справочник MOSFET. TK56E12N1

 

TK56E12N1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK56E12N1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TK56E12N1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK56E12N1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  toshiba
 tk56e12n1.pdf pdf_icon

TK56E12N1

TK56E12N1MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TK56E12N1TK56E12N1TK56E12N1TK56E12N11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 120 V)(3) Enha

Другие MOSFET... TK49N65W , TK49N65W5 , TK4P60D , TK4Q60DA , TK50A04K3 , TK50S04K3L , TK55S10N1 , TK56A12N1 , STP75NF75 , TK58A06N1 , TK58E06N1 , TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W .

History: 2SK2162 | VBA1310S | AO3415A

 

 
Back to Top

 


 
.