TK60F08K3 - описание и поиск аналогов

 

TK60F08K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK60F08K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-220SM

Аналог (замена) для TK60F08K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60F08K3 даташит

 ..1. Size:277K  toshiba
 tk60f08k3.pdf pdf_icon

TK60F08K3

TK60F08K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK60F08K3 TK60F08K3 TK60F08K3 TK60F08K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.5 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leaka

Другие MOSFET... TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W , TK5Q60W , TK5Q65W , AO3401 , TK62J60W , TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W .

History: AGM60P30D | 2SK1310 | CM9N90PZ | APQ02SN65AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.