Справочник MOSFET. TK60F08K3

 

TK60F08K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60F08K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220SM
 

 Аналог (замена) для TK60F08K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60F08K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  toshiba
 tk60f08k3.pdf pdf_icon

TK60F08K3

TK60F08K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK60F08K3TK60F08K3TK60F08K3TK60F08K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Automotive Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leaka

Другие MOSFET... TK5A60W , TK5A60W5 , TK5A65W , TK5P60W , TK5P60W5 , TK5P65W , TK5Q60W , TK5Q65W , AO3400 , TK62J60W , TK62J60W5 , TK62N60W , TK62N60W5 , TK62N60X , TK65G10N1 , TK65S04N1L , TK6A60W .

History: 2SJ646 | HIRFZ24NF

 

 
Back to Top

 


 
.