TK7A65W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK7A65W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
Тип корпуса: TO-220SIS
Аналог (замена) для TK7A65W
TK7A65W Datasheet (PDF)
tk7a65w.pdf

TK7A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7A65WTK7A65WTK7A65WTK7A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.64 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement
tk7a65d.pdf

TK7A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK7A65D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.8 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement mode: Vth = 2.
tk7a65d.pdf

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK7A65DITK7A65DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.8 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
tk7a60w.pdf

TK7A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK7A60WTK7A60WTK7A60WTK7A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.5 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancem
Другие MOSFET... TK6Q65W , TK70J04K3Z , TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , TK72E12N1 , TK7A60W , TK7A60W5 , 18N50 , TK7A90E , TK7J90E , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , TK7S10N1Z .
History: HUF76419SF085 | FCP190N65S3R0 | APT50M50L2LL | NCEP6090 | SI25N10 | HY3410MF | 2SK1180
History: HUF76419SF085 | FCP190N65S3R0 | APT50M50L2LL | NCEP6090 | SI25N10 | HY3410MF | 2SK1180



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125 | tip42c transistor | c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015