Справочник MOSFET. TK7J90E

 

TK7J90E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK7J90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для TK7J90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7J90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  toshiba
 tk7j90e.pdf pdf_icon

TK7J90E

TK7J90EMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK7J90ETK7J90ETK7J90ETK7J90E1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 (typ.)(2) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V)(3) Enhancement mode: Vth = 2.5

Другие MOSFET... TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , TK72E12N1 , TK7A60W , TK7A60W5 , TK7A65W , TK7A90E , STF13NM60N , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , TK7S10N1Z , TK80A04K3L , TK8A60W .

History: RJ1G12BGN | STL11N3LLH6 | IRFL1006PBF | SI4435DY | WMK028N10HGS | HB3710P | SIR876ADP

 

 
Back to Top

 


 
.