TK7J90E - описание и поиск аналогов

 

TK7J90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK7J90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для TK7J90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK7J90E даташит

 ..1. Size:231K  toshiba
 tk7j90e.pdf pdf_icon

TK7J90E

TK7J90E MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK7J90E TK7J90E TK7J90E TK7J90E 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.6 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode Vth = 2.5

Другие MOSFET... TK72A08N1 , TK72A12N1 , TK72E08N1 , TK72E12N1 , TK7A60W , TK7A60W5 , TK7A65W , TK7A90E , IRFP250 , TK7P60W , TK7P60W5 , TK7P65W , TK7Q60W , TK7Q65W , TK7S10N1Z , TK80A04K3L , TK8A60W .

History: MMBF4391 | FDMD82100L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.