Справочник MOSFET. TK8Q65W

 

TK8Q65W MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TK8Q65W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 16 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.67 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для TK8Q65W

 

 

TK8Q65W Datasheet (PDF)

1.1. tk8q65w.pdf Size:265K _toshiba

TK8Q65W
TK8Q65W

TK8Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK8Q65W TK8Q65W TK8Q65W TK8Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.55 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

5.1. tk8q60w.pdf Size:301K _toshiba

TK8Q65W
TK8Q65W

TK8Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS) TK8Q60W TK8Q60W TK8Q60W TK8Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications • Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.42 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top