TK8Q65W - аналоги и даташиты транзистора

 

TK8Q65W - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK8Q65W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.67 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для TK8Q65W

 

TK8Q65W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  toshiba
 tk8q65w.pdf pdf_icon

TK8Q65W

TK8Q65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK8Q65W TK8Q65W TK8Q65W TK8Q65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.55 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

 ..2. Size:234K  inchange semiconductor
 tk8q65w.pdf pdf_icon

TK8Q65W

 9.1. Size:301K  toshiba
 tk8q60w.pdf pdf_icon

TK8Q65W

TK8Q60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK8Q60W TK8Q60W TK8Q60W TK8Q60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.42 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhance

Другие MOSFET... TK80A04K3L , TK8A60W , TK8A60W5 , TK8A65W , TK8P60W , TK8P60W5 , TK8P65W , TK8Q60W , 8N60 , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 .

History: DSB150N10L3 | TK80A08K3 | SSD80N03 | FQP9N90C | MPVA4N70F | AP2301AI | SSF11NS60D

 

 
Back to Top

 


 
.