TMAN10N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMAN10N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMAN10N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN10N80 даташит

 ..1. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.3. Size:761K  trinnotech
 tman16n60.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK8Q65W, TK90S06N1L, TK9A65W, TK9A90E, TK9J90E, TK9P65W, TK9Q65W, TMA7N90, IRFZ48N, TMAN11N90AZ, TMAN11N90Z, TMAN12N80AZ, TMAN12N80Z, TMAN15N50, TMAN16N60, TMAN16N60A, TMAN20N50