TMAN10N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMAN10N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
TMAN10N80 Datasheet (PDF)
tman10n80.pdf

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-
tman12n80z.pdf

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A
tman11n90z.pdf

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A
tman16n60.pdf

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
Другие MOSFET... TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , RU7088R , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
Popular searches
rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668