Справочник MOSFET. TMAN10N80

 

TMAN10N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN10N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN10N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN10N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.3. Size:761K  trinnotech
 tman16n60.pdf pdf_icon

TMAN10N80

TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK8Q65W , TK90S06N1L , TK9A65W , TK9A90E , TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , RU7088R , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 .

History: AON2392 | IPP26CN10N | IRF7342PBF | IRF7580MTRPBF | KMA3D7P20SA | BVSS84L

 

 
Back to Top

 


 
.