TMAN11N90AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMAN11N90AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 416 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 84 nC
Время нарастания (tr): 89 ns
Выходная емкость (Cd): 297 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN11N90AZ
TMAN11N90AZ Datasheet (PDF)
tman11n90az.pdf
TMAN11N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A
tman11n90z.pdf
TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A
tman12n80z.pdf
TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A
tman10n80.pdf
TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-
tman16n60.pdf
TMAN16N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 16A
tman16n60a.pdf
TMAN16N60A N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 16A
tman12n80az.pdf
TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A
tman15n50.pdf
TMAN15N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 14.2A
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
