Справочник MOSFET. TMAN11N90AZ

 

TMAN11N90AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN11N90AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 89 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN11N90AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  trinnotech
 tman11n90az.pdf pdf_icon

TMAN11N90AZ

TMAN11N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 11A

 5.1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN11N90AZ

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN11N90AZ

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN11N90AZ

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: FQI7N80TU | FTD36N06N | APM9938K | MSU5N60F | IRFIZ34GPBF | AP13P15GP-HF | JCS3910C

 

 
Back to Top

 


 
.