Справочник MOSFET. TMAN12N80Z

 

TMAN12N80Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN12N80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN12N80Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN12N80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 5.1. Size:505K  trinnotech
 tman12n80az.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 9.1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , AON7403 , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 .

History: WMK060N10LGS | WMK11N80M3 | WMP05N80M3 | IRF7317 | IRFB5615PBF | WPM3021 | SI4914DY

 

 
Back to Top

 


 
.