TMAN12N80Z - описание и поиск аналогов

 

TMAN12N80Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMAN12N80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 416 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для TMAN12N80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN12N80Z даташит

 ..1. Size:502K  trinnotech
 tman12n80z.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN12N80Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 800V 12A

 5.1. Size:505K  trinnotech
 tman12n80az.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN12N80AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 800V 12A

 9.1. Size:512K  trinnotech
 tman11n90z.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN11N90Z N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 900V 11A

 9.2. Size:493K  trinnotech
 tman10n80.pdf pdf_icon

TMAN12N80Z

TMAN10N80 VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 10A Low gate charge RDS(on) = 1.05 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMAN10N80 TO-3P TMAN10N80 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN10N80 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK9J90E , TK9P65W , TK9Q65W , TMA7N90 , TMAN10N80 , TMAN11N90AZ , TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , IRF9640 , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 .

History: RTQ020N05HZG | MXP43P9AF | CS120N08A8 | SM3335PSQG | 2SK1915 | 2SK596S-B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.