TMAN20N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMAN20N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN20N60
TMAN20N60 Datasheet (PDF)
tman20n60.pdf
TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A
tman20n60a.pdf
TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
tman20n50.pdf
TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
tman20n50a.pdf
TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , 2N7002 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z .
History: IPP80N08S2-07 | IRFR5305 | WMM07N60C4 | IRF250P225 | 8N90 | 1H10 | KNB3208A
History: IPP80N08S2-07 | IRFR5305 | WMM07N60C4 | IRF250P225 | 8N90 | 1H10 | KNB3208A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout