TMAN20N60. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TMAN20N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN20N60
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TMAN20N60 даташит
tman20n60.pdf
TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A
tman20n60a.pdf
TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A
tman20n50.pdf
TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
tman20n50a.pdf
TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... TMAN11N90Z , TMAN12N80AZ , TMAN12N80Z , TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , MMIS60R580P , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z .
History: AP4506GEM-HF | SM3319NSQG | DH012N03D | ME2306A
History: AP4506GEM-HF | SM3319NSQG | DH012N03D | ME2306A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tip35c datasheet | 2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout