TMAN23N50A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TMAN23N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: TO-3PN
Аналог (замена) для TMAN23N50A
TMAN23N50A Datasheet (PDF)
tman23n50a.pdf
TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A
tman23n50.pdf
TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A
tman20n50.pdf
TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A
tman20n50a.pdf
TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A
Другие MOSFET... TMAN15N50 , TMAN16N60 , TMAN16N60A , TMAN20N50 , TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , IRFB7545 , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , TMAN9N90AZ , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ .
History: 2SK2253-01M | FDMS7570S | NVHL055N60S5F | MTP12P08 | WST3416 | ALD1102SAL | AOI2610
History: 2SK2253-01M | FDMS7570S | NVHL055N60S5F | MTP12P08 | WST3416 | ALD1102SAL | AOI2610
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet | mj21194 | oc71 transistor