Справочник MOSFET. TMAN23N50A

 

TMAN23N50A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN23N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN23N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN23N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  trinnotech
 tman23n50a.pdf pdf_icon

TMAN23N50A

TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 5.1. Size:508K  trinnotech
 tman23n50.pdf pdf_icon

TMAN23N50A

TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 9.1. Size:484K  trinnotech
 tman20n50.pdf pdf_icon

TMAN23N50A

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 9.2. Size:503K  trinnotech
 tman20n50a.pdf pdf_icon

TMAN23N50A

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.