Справочник MOSFET. TMAN23N50A

 

TMAN23N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMAN23N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 347 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN

 Аналог (замена) для TMAN23N50A

 

 

TMAN23N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:494K  trinnotech
tman23n50a.pdf

TMAN23N50A
TMAN23N50A

TMAN23N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 23A

 5.1. Size:508K  trinnotech
tman23n50.pdf

TMAN23N50A
TMAN23N50A

TMAN23N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 500V 23A

 9.1. Size:484K  trinnotech
tman20n50.pdf

TMAN23N50A
TMAN23N50A

TMAN20N50 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 20A

 9.2. Size:503K  trinnotech
tman20n50a.pdf

TMAN23N50A
TMAN23N50A

TMAN20N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 20A

 9.3. Size:505K  trinnotech
tman20n60a.pdf

TMAN23N50A
TMAN23N50A

TMAN20N60A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 20A

 9.4. Size:694K  trinnotech
tman20n60.pdf

TMAN23N50A
TMAN23N50A

TMAN20N60 N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 20A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top