Справочник MOSFET. TMAN9N90AZ

 

TMAN9N90AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN9N90AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN9N90AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN9N90AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  trinnotech
 tman9n90az.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 6.1. Size:428K  trinnotech
 tman9n90.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3PN G S Device Package Marking Remark TMAN9N90 TO-3P TMAN9N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN9N90 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP55N06L | AO4413

 

 
Back to Top

 


 
.