Справочник MOSFET. TMAN9N90AZ

 

TMAN9N90AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN9N90AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN9N90AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  trinnotech
 tman9n90az.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 6.1. Size:428K  trinnotech
 tman9n90.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3PN G S Device Package Marking Remark TMAN9N90 TO-3P TMAN9N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN9N90 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TSM2301CX | IRFF212 | 2SK3572-Z | IXFP22N65X2M | KNY3703A | MTC3588BDFA6 | IRFZ46ZS

 

 
Back to Top

 


 
.