TMAN9N90AZ - описание и поиск аналогов

 

TMAN9N90AZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMAN9N90AZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-3PN

Аналог (замена) для TMAN9N90AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN9N90AZ даташит

 ..1. Size:451K  trinnotech
 tman9n90az.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 6.1. Size:428K  trinnotech
 tman9n90.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3PN G S Device Package Marking Remark TMAN9N90 TO-3P TMAN9N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN9N90 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V

Другие MOSFET... TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , IRFZ44N , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ .

History: SLU4N65U

 

 

 

 

↑ Back to Top
.