Справочник MOSFET. TMAN9N90AZ

 

TMAN9N90AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMAN9N90AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 97 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 192 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PN
 

 Аналог (замена) для TMAN9N90AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMAN9N90AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  trinnotech
 tman9n90az.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90AZ N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 9A

 6.1. Size:428K  trinnotech
 tman9n90.pdf pdf_icon

TMAN9N90AZ

TMAN9N90 VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 9.5A Low gate charge RDS(on) = 1.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D TO-3PN G S Device Package Marking Remark TMAN9N90 TO-3P TMAN9N90 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMAN9N90 Unit Drain-Source Voltage VDS 900 V

Другие MOSFET... TMAN20N50A , TMAN20N60 , TMAN20N60A , TMAN23N50 , TMAN23N50A , TMAN7N90 , TMAN8N80 , TMAN9N90 , IRFZ44N , TMD16N25Z , TMD18N20Z , TMD2N40 , TMD2N60AZ , TMD2N60Z , TMD2N65AZ , TMD3N40ZG , TMD3N50AZ .

History: MDD1904RH | FXN08S65D | IRF9613 | TW7408FN | IXFK80N60P3

 

 
Back to Top

 


 
.