Справочник MOSFET. TMD16N25Z

 

TMD16N25Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMD16N25Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.9 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
   Время нарастания (tr): 51 ns
   Выходная емкость (Cd): 152 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.24 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TMD16N25Z

 

 

TMD16N25Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:471K  trinnotech
tmd16n25z tmu16n25z.pdf

TMD16N25Z TMD16N25Z

TMD16N25Z(G)/TMU16N25Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 250V 16A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top