Справочник MOSFET. TMD3N50AZ

 

TMD3N50AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: TMD3N50AZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 8 nC

Время нарастания (tr): 24 ns

Выходная емкость (Cd): 46 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD3N50AZ

 

 

TMD3N50AZ Datasheet (PDF)

1.1. tmd3n50az.pdf Size:454K _upd-mosfet

TMD3N50AZ TMD3N50AZ

TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 500V 2.5A < 2.8W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD3N50AZ / TMU3N50AZ D-PAK/I-PAK TMD3N50AZ / TMU3N50AZ RoHS TMD3N

3.1. tmd3n50z.pdf Size:467K _upd-mosfet

TMD3N50AZ TMD3N50AZ

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features  Low gate charge BVDSS ID RDS(on)  100% avalanche tested 500V 2.5A <2.8W  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD3N50Z / TMU3N50Z D-PAK/I-PAK TMD3N50Z / TMU3N50Z RoHS TMD3N50ZG / TMU3N50ZG D-PAK/I-PAK TMD3N50ZG

 5.1. tmd3n90.pdf Size:829K _upd-mosfet

TMD3N50AZ TMD3N50AZ

 TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)  Low gate charge 900V 2.5A <5.1W  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD3N90/ TMU3N90 D-PAK/I-PAK TMD3N90 / TMU3N90 RoHS TMD3N90G / TMU3N90G D-PAK/I-PAK TMD3N90G / TMU3

5.2. tmd3n80g.pdf Size:334K _upd-mosfet

TMD3N50AZ TMD3N50AZ

TMD3N80G/TMU3N80G Features VDSS = 880 V @Tjmax  Low gate charge ID = 3A  100% avalanche tested  Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen Free Absolute Maximum Ratings Parameter

 5.3. tmd3n40zg.pdf Size:537K _upd-mosfet

TMD3N50AZ TMD3N50AZ

TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax  Low gate charge ID = 2A  100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V  Improved dv/dt capability  RoHS compliant  Halogen free package  JEDEC Qualification  Improved ESD performance D D-PAK I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD3N40ZG/TMU3N40ZG D-PAK/I-PAK TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Halogen Free

5.4. ntmd3n08lr2.pdf Size:159K _onsemi

TMD3N50AZ TMD3N50AZ

NTMD3N08LR2 Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts N-Channel Enhancement-Mode SO-8 Dual Package http://onsemi.com Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency 2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V 80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses 215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutions in 42 V Auto

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top

 


TMD3N50AZ   TMD3N50AZ   TMD3N50AZ  

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: CMB1405 | CMP1405 | JCS4N60F | JCS4N60C | JCS4N60B | JCS4N60S | JCS4N60R | JCS4N60V | MDU2657 | OSG55R190PF | OSG55R190FF | OSG55R190DF | OSG55R190AF | PTP04N04N | RU7088R3 |
 

 

 

 

 

Back to Top