TMD3N50AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMD3N50AZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 46 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.8 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TMD3N50AZ Datasheet (PDF)
1.1. tmd3n50az.pdf Size:454K _upd-mosfet
TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A < 2.8W Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD3N50AZ / TMU3N50AZ D-PAK/I-PAK TMD3N50AZ / TMU3N50AZ RoHS TMD3N
3.1. tmd3n50z.pdf Size:467K _upd-mosfet
TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A <2.8W Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD3N50Z / TMU3N50Z D-PAK/I-PAK TMD3N50Z / TMU3N50Z RoHS TMD3N50ZG / TMU3N50ZG D-PAK/I-PAK TMD3N50ZG
5.1. tmd3n90.pdf Size:829K _upd-mosfet
TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A <5.1W 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK I-PAK Device Package Marking Remark TMD3N90/ TMU3N90 D-PAK/I-PAK TMD3N90 / TMU3N90 RoHS TMD3N90G / TMU3N90G D-PAK/I-PAK TMD3N90G / TMU3
5.2. tmd3n80g.pdf Size:334K _upd-mosfet
TMD3N80G/TMU3N80G Features VDSS = 880 V @Tjmax Low gate charge ID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D-PAK D I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen Free Absolute Maximum Ratings Parameter
5.3. tmd3n40zg.pdf Size:537K _upd-mosfet
TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Features VDSS = 440 V @Tjmax Low gate charge ID = 2A 100% avalanche tested RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performance D D-PAK I-PAK G S Device Package Marking Remark TMD3N40ZG/TMU3N40ZG D-PAK/I-PAK TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Halogen Free
5.4. ntmd3n08lr2.pdf Size:159K _onsemi
NTMD3N08LR2 Power MOSFET 2.3 Amps, 80 Volts N-Channel Enhancement-Mode SO-8 Dual Package http://onsemi.com Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency 2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V 80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses 215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutions in 42 V Auto
Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CMB1405 | CMP1405 | JCS4N60F | JCS4N60C | JCS4N60B | JCS4N60S | JCS4N60R | JCS4N60V | MDU2657 | OSG55R190PF | OSG55R190FF | OSG55R190DF | OSG55R190AF | PTP04N04N | RU7088R3 |