Справочник MOSFET. TMD3N50Z

 

TMD3N50Z MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMD3N50Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TMD3N50Z

 

 

TMD3N50Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  trinnotech
 tmd3n50z tmu3n50z.pdf

TMD3N50Z TMD3N50Z

TMD3N50Z(G)/TMU3N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 7.1. Size:454K  trinnotech
 tmd3n50az tmu3n50az.pdf

TMD3N50Z TMD3N50Z

TMD3N50AZ(G)/TMU3N50AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A

 9.1. Size:159K  onsemi
 ntmd3n08lr2.pdf

TMD3N50Z TMD3N50Z

NTMD3N08LR2Power MOSFET2.3 Amps, 80 VoltsN-Channel Enhancement-ModeSO-8 Dual Packagehttp://onsemi.comFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency2.3 AMPERES RDS(on) = 0.215 W, VGS = 10 V80 VOLTS RDS(on) = 0.245 W, VGS = 5.0 V Low Reverse Recovery Losses215 mW @ VGS = 5 V (Typ) Internal RG = 50 W Designed for Power Management Solutio

 9.2. Size:334K  trinnotech
 tmd3n80g tmu3n80g.pdf

TMD3N50Z TMD3N50Z

TMD3N80G/TMU3N80GFeaturesVDSS = 880 V @Tjmax Low gate chargeID = 3A 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RDS(on) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationD-PAK DI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N80G/TMU3N80G D-PAK/I-PAK TMD3N80G/TMU3N80G Halogen FreeAbsolute Maximum Ratings Parameter

 9.3. Size:829K  trinnotech
 tmd3n90 tmu3n90.pdf

TMD3N50Z TMD3N50Z

TMD3N90(G)/TMU3N90(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 900V 2.5A

 9.4. Size:537K  trinnotech
 tmd3n40zg tmu3n40zg.pdf

TMD3N50Z TMD3N50Z

TMD3N40ZG/TMU3N40ZGFeaturesVDSS = 440 V @Tjmax Low gate chargeID = 2A 100% avalanche testedRDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Improved ESD performanceDD-PAKI-PAKGSDevice Package Marking RemarkTMD3N40ZG/TMU3N40ZG D-PAK/I-PAK TMD3N40ZG/TMU3N40ZG Halogen Free

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top