Справочник MOSFET. TMD830Z

 

TMD830Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMD830Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD830Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  trinnotech
 tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMD830Z

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.1. Size:468K  trinnotech
 tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMD830Z

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.2. Size:451K  trinnotech
 tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMD830Z

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: TMP3N50Z | SIR804DP | IPD50R280CE | IXKH24N60C5 | SWN6N70K | NDT6N70 | SFP055N100C3

 

 
Back to Top

 


 
.