TMD830Z - описание и поиск аналогов

 

TMD830Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMD830Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TMD830Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMD830Z даташит

 ..1. Size:465K  trinnotech
 tmd830z tmu830z.pdf pdf_icon

TMD830Z

TMD830Z(G)/TMU830Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.1. Size:468K  trinnotech
 tmd830 tmu830.pdf pdf_icon

TMD830Z

TMD830(G)/TMU830(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.2. Size:451K  trinnotech
 tmd830az tmu830az.pdf pdf_icon

TMD830Z

TMD830AZ(G)/TMU830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

Другие MOSFET... TMD630Z , TMD6N65G , TMD6N70 , TMD7N60Z , TMD7N65AZ , TMD7N65Z , TMD830 , TMD830AZ , 2SK3878 , TMD8N25Z , TMD8N50Z , TMD8N60AZ , TMP10N60 , TMP10N60A , TMP10N65 , TMP10N65A , TMP10N80 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.