Справочник MOSFET. TMP2N60AZ

 

TMP2N60AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMP2N60AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TMP2N60AZ

 

 

TMP2N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  trinnotech
 tmp2n60az tmpf2n60az.pdf

TMP2N60AZ TMP2N60AZ

TMP2N60AZ(G)/TMPF2N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 7.1. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf

TMP2N60AZ TMP2N60AZ

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 8.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf

TMP2N60AZ TMP2N60AZ

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: BUK9629-100B

 

 
Back to Top