Справочник MOSFET. TMP4N65Z

 

TMP4N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP4N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP4N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP4N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

TMP4N65Z

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 7.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

TMP4N65Z

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 7.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

TMP4N65Z

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 8.1. Size:571K  trinnotech
 tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMP4N65Z

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMP3N50AZ , TMP3N50Z , TMP3N80 , TMP3N90 , TMP4N60 , TMP4N60AZ , TMP4N65 , TMP4N65AZ , 5N65 , TMP4N80 , TMP4N90 , TMP5N50 , TMP5N50SG , TMP5N60AZ , TMP5N60Z , TMP630Z , TMP6N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.