TMP4N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TMP4N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 123 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 25 nC
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
TMP4N90 Datasheet (PDF)
tmp4n90 tmpf4n90.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N90/TMPF4N90TMP4N90G/TMPF4N90GVDSS = 990 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(ON) = 4.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification DGSDevice Package Marking RemarkTMP4N90 / TMPF4N90 TO-220 / TO-220F TMP4N90 / TMPF4N90 RoHSTMP4N90G / TMPF4N90G TO-220 / T
tmp4n60 tmpf4n60.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4
tmp4n65az tmpf4n65az.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A
tmp4n60az tmpf4n60az.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N60AZ(G)/TMPF4N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A
tmp4n80 tmpf4n80.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N80/TMPF4N80 TMP4N80G/TMPF4N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(ON) = 3.0 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N80 TO-220 TMP4N80 RoHS TMPF4N80G TO-220F TMPF4N80G Halogen Free Absol
tmp4n65 tmpf4n65.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A
tmp4n65z tmpf4n65z.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A
tma4n60h tmu4n60h tmd4n60h tmp4n60h.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TMA4N60H,TMU4N60H,TMD4N60H, TMP4N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Inf
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .