Справочник MOSFET. TMP7N65Z

 

TMP7N65Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP7N65Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP7N65Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP7N65Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:616K  trinnotech
tmp7n65z tmpf7n65z.pdfpdf_icon

TMP7N65Z

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 7.1. Size:615K  trinnotech
tmp7n65az tmpf7n65az.pdfpdf_icon

TMP7N65Z

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 7.2. Size:1062K  cn wuxi unigroup
tma7n65h tmp7n65h tmd7n65h tmu7n65h.pdfpdf_icon

TMP7N65Z

TMA7N65H, TMP7N65H, TMD7N65H, TMU7N65H Wuxi Unigroup Microelectronics Company650V N-Channel MOSFETFEATURESl Fast switchingl 100% avalanche testedl Improved dv/dt capabilityAPPLICATIONSl Switch Mode Power Supply (SMPS)l Uninterruptible Power Supply (UPS)l Power Factor Correction (PFC)Device Marking and Package InformationDevice Package MarkingTMA7N65H TO-220F A7N65HTM

 8.1. Size:611K  trinnotech
tmp7n60z tmpf7n60z.pdfpdf_icon

TMP7N65Z

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

Другие MOSFET... TMP5N50SG , TMP5N60AZ , TMP5N60Z , TMP630Z , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , IRF830 , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 .

 

 
Back to Top

 


 
.