Справочник MOSFET. TMP7N90

 

TMP7N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP7N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для TMP7N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP7N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  trinnotech
 tmp7n90 tmpf7n90.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings

 9.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 9.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 9.3. Size:611K  trinnotech
 tmp7n60z tmpf7n60z.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMP5N60AZ , TMP5N60Z , TMP630Z , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , K2611 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 .

History: TMP830 | FTK6808 | FXN0707C | AP0903GYT-HF | HMS8N50I

 

 
Back to Top

 


 
.