TMP7N90 - описание и поиск аналогов

 

TMP7N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP7N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TMP7N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP7N90 даташит

 ..1. Size:440K  trinnotech
 tmp7n90 tmpf7n90.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N90/TMPF7N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 7A Low gate charge RDS(ON) = 1.9 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP7N90 TO-220 TMP7N90 RoHS TMPF7N90G TO-220F TMPF7N90G Halogen Free Absolute Maximum Ratings

 9.1. Size:615K  trinnotech
 tmp7n65az tmpf7n65az.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N65AZ(G)/TMPF7N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 6.5A

 9.2. Size:616K  trinnotech
 tmp7n65z tmpf7n65z.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N65Z(G)/TMPF7N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 6.5A

 9.3. Size:611K  trinnotech
 tmp7n60z tmpf7n60z.pdf pdf_icon

TMP7N90

TMP7N60Z(G)/TMPF7N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 7A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMP5N60AZ , TMP5N60Z , TMP630Z , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , 8N60 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 .

History: WM03N01H

 

 

 

 

↑ Back to Top
.