TMP830 - описание и поиск аналогов

 

TMP830. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP830

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TMP830

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP830 даташит

 ..1. Size:602K  trinnotech
 tmp830 tmpf830.pdf pdf_icon

TMP830

TMP830/TMPF830 VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4.5A Low gate charge RDS(on) = 1.5 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP830 / TMPF830 TO-220 / TO-220F TMP830 / TMPF830 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMP830 TMPF830 Unit Dra

 0.1. Size:606K  trinnotech
 tmp830az tmpf830az.pdf pdf_icon

TMP830

TMP830AZ(G)/TMPF830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 0.2. Size:619K  trinnotech
 tmp830z tmpf830z.pdf pdf_icon

TMP830

TMP830Z(G)/TMPF830Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 4.5A

Другие MOSFET... TMP5N60Z , TMP630Z , TMP6N65 , TMP6N70 , TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , TMP7N90 , P60NF06 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , TMP8N50Z , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 , TMP9N50S .

History: LSE65R099GF | 2SJ324-Z | 2SK1707 | H8205 | WM03N57M | AGM628MAP | AO4842-MS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.