Справочник MOSFET. TMP830AZ

 

TMP830AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TMP830AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для TMP830AZ

 

 

TMP830AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  trinnotech
 tmp830az tmpf830az.pdf

TMP830AZ TMP830AZ

TMP830AZ(G)/TMPF830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 8.1. Size:602K  trinnotech
 tmp830 tmpf830.pdf

TMP830AZ TMP830AZ

TMP830/TMPF830 VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4.5A Low gate charge RDS(on) = 1.5 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP830 / TMPF830 TO-220 / TO-220F TMP830 / TMPF830 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMP830 TMPF830 Unit Dra

 8.2. Size:619K  trinnotech
 tmp830z tmpf830z.pdf

TMP830AZ TMP830AZ

TMP830Z(G)/TMPF830Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 4.5A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top