TMP8N50Z - описание и поиск аналогов

 

TMP8N50Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TMP8N50Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для TMP8N50Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP8N50Z даташит

 ..1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMP8N50Z

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMP8N50Z

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 9.2. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMP8N50Z

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMP8N50Z

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMP7N60Z , TMP7N65AZ , TMP7N65Z , TMP7N90 , TMP830 , TMP830AZ , TMP830Z , TMP8N25Z , STP65NF06 , TMP8N60AZ , TMP8N80 , TMP9N50 , TMP9N50S , TMP9N60 , TMP9N70 , TMP9N90 , TMPF10N60 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.