Справочник MOSFET. TMP8N60AZ

 

TMP8N60AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMP8N60AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMP8N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMP8N60AZ

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

 9.1. Size:605K  trinnotech
 tmp8n50z tmpf8n50z.pdf pdf_icon

TMP8N60AZ

TMP8N50Z(G)/TMPF8N50Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 8A

 9.2. Size:603K  trinnotech
 tmp8n25z tmpf8n25z.pdf pdf_icon

TMP8N60AZ

TMP8N25Z(G)/TMPF8N25Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on)MAX 100% avalanche tested 250V 8A

 9.3. Size:1284K  trinnotech
 tmp8n80 tmpf8n80.pdf pdf_icon

TMP8N60AZ

TMP8N80(G)/TMPF8N80(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 100% avalanche tested 800V 8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: ZXM62P03GTA | R6535KNZ1 | FTK1N60P | VSE002N03MS-G | AOTF125A60L | PTW36N60 | 2SK3430-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.