Справочник MOSFET. TMPF20N50

 

TMPF20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:409K  trinnotech
 tmp20n50 tmpf20n50.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

 0.1. Size:621K  trinnotech
 tmp20n50a tmpf20n50a.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP20N50A(G)/TMPF20N50A(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

 9.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 9.2. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMPF12N60A , TMPF13N50 , TMPF13N50A , TMPF15N50 , TMPF16N25Z , TMPF16N60 , TMPF16N60A , TMPF18N20Z , 20N60 , TMPF20N50A , TMPF2N60AZ , TMPF2N60Z , TMPF2N65AZ , TMPF3N50AZ , TMPF3N50Z , TMPF3N80 , TMPF3N90 .

History: ATP613 | SI7904BDN

 

 
Back to Top

 


 
.