TMPF20N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF20N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 296 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF20N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF20N50 даташит

 ..1. Size:409K  trinnotech
 tmp20n50 tmpf20n50.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP20N50/TMPF20N50 TMP20N50G/TMPF20N50G VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 18A Low gate charge RDS(on) = 0.3 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP20N50 / TMPF20N50 TO-220 / TO-220F TMP20N50 / TMPF20N50 RoHS TMP20N50

 0.1. Size:621K  trinnotech
 tmp20n50a tmpf20n50a.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP20N50A(G)/TMPF20N50A(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 18A

 9.1. Size:604K  trinnotech
 tmp2n65az tmpf2n65az.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP2N65AZ(G)/TMPF2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

 9.2. Size:627K  trinnotech
 tmp2n60z tmpf2n60z.pdf pdf_icon

TMPF20N50

TMP2N60Z(G)/TMPF2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF12N60A, TMPF13N50, TMPF13N50A, TMPF15N50, TMPF16N25Z, TMPF16N60, TMPF16N60A, TMPF18N20Z, 20N60, TMPF20N50A, TMPF2N60AZ, TMPF2N60Z, TMPF2N65AZ, TMPF3N50AZ, TMPF3N50Z, TMPF3N80, TMPF3N90