TMPF3N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TMPF3N90
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TMPF3N90 Datasheet (PDF)
tmp3n90 tmpf3n90.pdf

TMP3N90/TMPF3N90 TMP3N90G/TMPF3N90G VDSS = 990 V @Tjmax Features ID = 2.5A Low gate charge RDS(ON) = 5.1 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP3N90 / TMPF3N90 TO-220 / TO-220F TMP3N90 / TMPF3N90 RoHS TMP3N90G / TMPF
tmp3n50z tmpf3n50z.pdf

TMP3N50Z(G)/TMPF3N50Z(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A
tmp3n50az tmpf3n50az.pdf

TMP3N50AZ(G)/TMPF3N50AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 2.5A
tmp3n80 tmpf3n80.pdf

TMP3N80/TMPF3N80 TMP3N80G/TMPF3N80G VDSS = 880 V @Tjmax Features ID = 3A Low gate charge RDS(ON) = 4.2 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP3N80 / TMPF3N80 TO-220 / TO-220F TMP3N80 / TMPF3N80 RoHS TMP3N80G / TMPF3N
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MTW20N50E | SFB063N70C3 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | IPP60R099CPA
History: MTW20N50E | SFB063N70C3 | 2SK2525-01 | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | IPP60R099CPA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a970 | d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet