Справочник MOSFET. TMPF4N60

 

TMPF4N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF4N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.55 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF4N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  trinnotech
 tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMPF4N60

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

 0.1. Size:618K  trinnotech
 tmp4n60az tmpf4n60az.pdf pdf_icon

TMPF4N60

TMP4N60AZ(G)/TMPF4N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 7.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

TMPF4N60

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 7.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

TMPF4N60

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: FDS4559F085 | SDF120JDA-D | IRLU3715 | DG840 | KNB1906A | FDPF8N50NZU | TMPF4N65

 

 
Back to Top

 


 
.