TMPF4N60AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF4N60AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF4N60AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF4N60AZ даташит

 ..1. Size:618K  trinnotech
 tmp4n60az tmpf4n60az.pdf pdf_icon

TMPF4N60AZ

TMP4N60AZ(G)/TMPF4N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.0A

 6.1. Size:571K  trinnotech
 tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMPF4N60AZ

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

 7.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

TMPF4N60AZ

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 7.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

TMPF4N60AZ

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF2N60AZ, TMPF2N60Z, TMPF2N65AZ, TMPF3N50AZ, TMPF3N50Z, TMPF3N80, TMPF3N90, TMPF4N60, IRF640N, TMPF4N65, TMPF4N65AZ, TMPF4N65Z, TMPF4N80, TMPF4N90, TMPF5N50, TMPF5N50SG, TMPF5N60AZ