TMPF4N65Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF4N65Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF4N65Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF4N65Z даташит

 ..1. Size:628K  trinnotech
 tmp4n65z tmpf4n65z.pdf pdf_icon

TMPF4N65Z

TMP4N65Z(G)/TMPF4N65Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 6.1. Size:608K  trinnotech
 tmp4n65az tmpf4n65az.pdf pdf_icon

TMPF4N65Z

TMP4N65AZ(G)/TMPF4N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 4.0A

 6.2. Size:624K  trinnotech
 tmp4n65 tmpf4n65.pdf pdf_icon

TMPF4N65Z

TMP4N65(G)/TMPF4N65(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 650V 4A

 7.1. Size:571K  trinnotech
 tmp4n60 tmpf4n60.pdf pdf_icon

TMPF4N65Z

TMP4N60/TMPF4N60 TMP4N60G/TMPF4N60G VDSS = 660 V @Tjmax Features ID = 4A Low gate charge RDS(on) = 2.55 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP4N60 / TMPF4N60 TO-220 / TO-220F TMP4N60 / TMPF4N60 RoHS TMP4N60G / TMPF4

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF3N50AZ, TMPF3N50Z, TMPF3N80, TMPF3N90, TMPF4N60, TMPF4N60AZ, TMPF4N65, TMPF4N65AZ, IRFB4227, TMPF4N80, TMPF4N90, TMPF5N50, TMPF5N50SG, TMPF5N60AZ, TMPF5N60Z, TMPF630Z, TMPF6N65