TMPF5N50SG - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

TMPF5N50SG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: TMPF5N50SG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 63 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для TMPF5N50SG

TMPF5N50SG Datasheet (PDF)

..1. Size:354K trinnotech
tmp5n50sg tmpf5n50sg.pdf

TMP5N50SG/TMPF5N50SGVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 4A Low gate chargeRDS(ON) = 1.85 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP5N50SG / TMPF5N50SG TO-220 / TO-220F TMP5N50SG / TMPF5N50SG Halogen FreeAbs

6.1. Size:347K trinnotech
tmp5n50 tmpf5n50.pdf

TMP5N50/TMPF5N50TMP5N50G/TMPF5N50GFeaturesVDSS = 550 V @Tjmax Low gate chargeID = 4.5A 100% avalanche testedRDS(ON) = 1.65 W(max) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification Fast reverse recovery DGSDevice Package Marking RemarkTMP5N50 / TMPF5N50 TO-220 / TO-220F TMP5N50 / TMPF5N50 RoHST

8.1. Size:610K trinnotech
tmp5n60az tmpf5n60az.pdf