Справочник MOSFET. TMPF830

 

TMPF830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:602K  trinnotech
 tmp830 tmpf830.pdf pdf_icon

TMPF830

TMP830/TMPF830 VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4.5A Low gate charge RDS(on) = 1.5 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP830 / TMPF830 TO-220 / TO-220F TMP830 / TMPF830 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMP830 TMPF830 Unit Dra

 0.1. Size:606K  trinnotech
 tmp830az tmpf830az.pdf pdf_icon

TMPF830

TMP830AZ(G)/TMPF830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 0.2. Size:619K  trinnotech
 tmp830z tmpf830z.pdf pdf_icon

TMPF830

TMP830Z(G)/TMPF830Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 4.5A

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF830

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HGN035N08AL | DG840 | FDPF8N50NZU | SDF120JDA-D | IRLU3715 | KNB1906A | IRFS840

 

 
Back to Top

 


 
.