Справочник MOSFET. TMPF830AZ

 

TMPF830AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF830AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF830AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  trinnotech
 tmp830az tmpf830az.pdf pdf_icon

TMPF830AZ

TMP830AZ(G)/TMPF830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 7.1. Size:602K  trinnotech
 tmp830 tmpf830.pdf pdf_icon

TMPF830AZ

TMP830/TMPF830 VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4.5A Low gate charge RDS(on) = 1.5 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP830 / TMPF830 TO-220 / TO-220F TMP830 / TMPF830 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMP830 TMPF830 Unit Dra

 7.2. Size:619K  trinnotech
 tmp830z tmpf830z.pdf pdf_icon

TMPF830AZ

TMP830Z(G)/TMPF830Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 4.5A

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF830AZ

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SSD20N15-250D | AO4824L | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | WMO5N50D1B

 

 
Back to Top

 


 
.