Справочник MOSFET. TMPF830Z

 

TMPF830Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMPF830Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для TMPF830Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF830Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:619K  trinnotech
 tmp830z tmpf830z.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP830Z(G)/TMPF830Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 4.5A

 7.1. Size:606K  trinnotech
 tmp830az tmpf830az.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP830AZ(G)/TMPF830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 7.2. Size:602K  trinnotech
 tmp830 tmpf830.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP830/TMPF830 VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4.5A Low gate charge RDS(on) = 1.5 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP830 / TMPF830 TO-220 / TO-220F TMP830 / TMPF830 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMP830 TMPF830 Unit Dra

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMPF6N65 , TMPF6N70 , TMPF7N60Z , TMPF7N65AZ , TMPF7N65Z , TMPF7N90 , TMPF830 , TMPF830AZ , IRF1010E , TMPF8N25Z , TMPF8N50Z , TMPF8N60AZ , TMPF8N80 , TMPF9N50 , TMPF9N50S , TMPF9N60 , TMPF9N70 .

History: PMDXB600UNE | QM3018D | BUK9M12-60E

 

 
Back to Top

 


 
.