TMPF830Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMPF830Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMPF830Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMPF830Z даташит

 ..1. Size:619K  trinnotech
 tmp830z tmpf830z.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP830Z(G)/TMPF830Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 4.5A

 7.1. Size:606K  trinnotech
 tmp830az tmpf830az.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP830AZ(G)/TMPF830AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 500V 4.5A

 7.2. Size:602K  trinnotech
 tmp830 tmpf830.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP830/TMPF830 VDSS = 550 V @Tjmax Features ID = 4.5A Low gate charge RDS(on) = 1.5 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification D G S Device Package Marking Remark TMP830 / TMPF830 TO-220 / TO-220F TMP830 / TMPF830 RoHS Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol TMP830 TMPF830 Unit Dra

 9.1. Size:625K  trinnotech
 tmp8n60az tmpf8n60az.pdf pdf_icon

TMPF830Z

TMP8N60AZ(G)/TMPF8N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 7.5A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF6N65, TMPF6N70, TMPF7N60Z, TMPF7N65AZ, TMPF7N65Z, TMPF7N90, TMPF830, TMPF830AZ, IRF9540N, TMPF8N25Z, TMPF8N50Z, TMPF8N60AZ, TMPF8N80, TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70