TMT2N40G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMT2N40G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMT2N40G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMT2N40G даташит

 ..1. Size:327K  trinnotech
 tmt2n40g.pdf pdf_icon

TMT2N40G

TMT2N40G VDSS = 440 V @Tjmax Features ID = 2A Low gate charge RDS(on) = 3.4 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested RDS(on) = 2.75 W(typ) @ VGS= 10 V Improved dv/dt capability RDS(on) = 2.80 W(typ) @ VGS= 7.5 V RoHS compliant Halogen free package JEDEC Qualification D D S G D G S Device Package Marking TMT2N40G SOT223 TMT2N40G Absolute Maximum Ra

 9.1. Size:518K  trinnotech
 tmt2n60zg.pdf pdf_icon

TMT2N40G

TMT2N60ZG N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on 100% avalanche tested 600V 2A

 9.2. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMT2N40G

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

Другие IGBT... TMPF8N50Z, TMPF8N60AZ, TMPF8N80, TMPF9N50, TMPF9N50S, TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, 13N50, TMT2N60ZG, TMT3N30G, TMT3N40ZG, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z