Справочник MOSFET. TMU18N20Z

 

TMU18N20Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU18N20Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU18N20Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU18N20Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:437K  trinnotech
 tmd18n20z tmu18n20z.pdf pdf_icon

TMU18N20Z

TMD18N20Z(G)/TMU18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A

Другие MOSFET... TMPF9N60 , TMPF9N70 , TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , TMT3N30G , TMT3N40ZG , TMU16N25Z , AON7506 , TMU2N40 , TMU2N60AZ , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG , TMU3N50AZ , TMU3N50Z , TMU3N80G .

History: FQU7N10LTU | LSE60R180HT | SI7390DP | BLA1011-200R | STL160NS3LLH7 | SQ2319ES

 

 
Back to Top

 


 
.