TMU18N20Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU18N20Z  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMU18N20Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU18N20Z даташит

 ..1. Size:437K  trinnotech
 tmd18n20z tmu18n20z.pdf pdf_icon

TMU18N20Z

TMD18N20Z(G)/TMU18N20Z(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) MAX 100% avalanche tested 200V 18A

Другие IGBT... TMPF9N60, TMPF9N70, TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, TMT3N30G, TMT3N40ZG, TMU16N25Z, IRFB3607, TMU2N40, TMU2N60AZ, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ, TMU3N50Z, TMU3N80G