Справочник MOSFET. TMU2N60AZ

 

TMU2N60AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TMU2N60AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: I-PAK
 

 Аналог (замена) для TMU2N60AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU2N60AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 7.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 7.2. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics CompanyWuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 8.1. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TMPF9N90 , TMT2N40G , TMT2N60ZG , TMT3N30G , TMT3N40ZG , TMU16N25Z , TMU18N20Z , TMU2N40 , AO4407 , TMU2N60Z , TMU2N65AZ , TMU3N40ZG , TMU3N50AZ , TMU3N50Z , TMU3N80G , TMU3N90 , TMU4N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.