TMU2N60AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TMU2N60AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: I-PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TMU2N60AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TMU2N60AZ даташит

 ..1. Size:455K  trinnotech
 tmd2n60az tmu2n60az.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMD2N60AZ(G)/TMU2N60AZ(G) N-channel MOSFET Features Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 2.0A

 7.1. Size:474K  trinnotech
 tmd2n60z tmu2n60z.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMD2N60Z(G)/TMU2N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on)MAX Low gate charge 600V 2A

 7.2. Size:640K  cn wuxi unigroup
 tma2n60h tmd2n60h tmt2n60h tmu2n60h.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H Wuxi Unigroup Microelectronics Company Wuxi Unigroup Microelectronics Company 600V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Info

 8.1. Size:449K  trinnotech
 tmd2n65az tmu2n65az.pdf pdf_icon

TMU2N60AZ

TMD2N65AZ(G)/TMU2N65AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 650V 1.8A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TMPF9N90, TMT2N40G, TMT2N60ZG, TMT3N30G, TMT3N40ZG, TMU16N25Z, TMU18N20Z, TMU2N40, IRF530, TMU2N60Z, TMU2N65AZ, TMU3N40ZG, TMU3N50AZ, TMU3N50Z, TMU3N80G, TMU3N90, TMU4N60